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大芯超导有限公司

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大芯超导有限公司元器件业分销商

BASiC基本半导650V/1200V Hybrid IGBT 管IGBT TO274-3和TO247-4 具备高速IGBT技术和碳化硅肖特基二管的主要点,具备出色的开关速度和低的开关耗,TO-247 4 引脚封装具有一个外的开尔文连接。此 4 引脚也被称为开尔文端子,绕过栅控制回路上的引线电感,从而提高 IGBT或者碳化硅MOSFET 的开关速度并开关能量。主要规格有BGH50N65HF1(IKW50N65RH5国产替,AIKW50N65RF5国产替,IKW50N65SS5国产替),BGH50N65ZF1 (IKZA50N65RH5,IKZA50N65SS5国产替),BGH75N65HF1(IKW75N65RH5,IKW75N65SS5国产替),BGH75N65ZF1(IKZA75N65RH5,IKZA75N65SS5国产替),BGH40N120HF(IKW40N120H3,IKW40N120CS6,IKW40N120CS7国产替)特别适用于 DC-DC 率变换器和PFC电路。其常见应用包括:车载充电机(OBC)、ESS储能系统、PV inverter光伏逆变器、UPS不间断电源系统 (UPS),以及服务器和电开关电源 (SMPS) ,基本半导混合碳化硅分立器件将新型场截止IGBT技术和碳化硅肖特基二管技术相结合,为硬开关拓扑打造了一个兼顾--和价比的方案。该器件将传统的硅基IGBT和碳化硅肖特基二管合封,在部分应用中可以替传统的IGBT (硅基IGBT与硅基快恢二管合封),使IGBT的开关耗大幅,适用于车载电源充电机(OBC)、通信电源、高频DC-DC电源转换器、储能等域。

BASiC基本半导混合IGBT Hybrid Discrete搭载了为高频开关化的IGBT晶圆以及650VBASiC基本SiC二管,基本SiC二管小Qrr,有对管IGBT开通耗,且自身反向恢耗Erec也明显,IGBT开通耗随温度的影响很小,EMI,广泛应用于OBC车载充电器,光伏储能逆变器,充电桩电源模块,移动储能逆变器率因数校正(PFC)、DC-DC(直流-直流)和DC-AC(直流-交流)等。

BASiC基本半导碳化硅MOSFET B1M160120HC,B1M080120HC,B1M080120HK,B1M032120HC,B1M032120HK具备开关中的小栅电荷和器件电容、反并联二管无反向恢耗、与温度无关的低开关耗,以及无阈值通态特等。非常适合硬开关和谐振开关拓扑,如LLC和ZVS,广泛应用于OBC车载充电器,光伏储能逆变器,充电桩电源模块等,可以像IGBT或MOSFET一样使用易于使用的驱动器进行驱动。由于能在高开关频率下带来高率,从而可以小系统尺寸、增大率度,并确保高可靠,延长使用寿。

光伏逆变器升压SiC碳化硅二管B2D10120H1,B2D20120HC1,B2D20120H1,B2D30120HC1,B2D30120H1,B2D40120H1,B2D20065HC1,B2D20065H1,B2D30065H,B2D40065H,B2D02120E1,光伏逆变器SiC MOSFET,IGBT Hybrid Discrete,混合三电平SiC-IGBT模块,IGBT管,混合IGBT管,SiC MOSFET,SiC Power MOSFET,SiC MOSFET模块,SOT-227碳化硅肖特基二管模块,混合SiC-IGBT模块,BASiC基本混合混合SiC-IGBT管,分立碳化硅MOSFET,TO263-7碳化硅MOSFET,碳化硅(SiC)MOSFET,储能逆变器SiC MOSFET,光伏逆变器SiC MOSFET,三电平IGBT模块,光储一机混合IGBT器件

BASiC基本半导第三碳化硅肖特基二管在沿用6英寸晶圆工艺基础上,实现了高的电流度、小的元胞尺寸、低的正向导通压。BASiC基本半导第三碳化硅肖特基二管继承了一和二产品的点,采用JBS结构,化了N-外延层的掺杂浓度,薄N+衬底层,使得二管具有低的正向导通压VF和结电荷QC,可以应用端的导通耗和开关耗。

公司档案
公司名称: 大芯超导有限公司 公司类型: 企业单位 ()
所 在 地: 广东/深圳市 公司规模:
注册资本: 未填写 注册年份: 2012
资料认证:
保 证 金: 已缴纳 0.00
经营范围: CREE碳化硅SiC MOSFET国产替代,英飞凌碳化硅SiC MOSFET国产替代,Wolfspeed碳化硅SiC MOSFET国产替代,英飞凌碳化硅 MOSFET 模块国产替代,IMZA120R040M1H国产替代,IMW120R040M1H国产替代,IMW120R045M1国产替代,C3M0075120D国产替代,C3M0160120D国产替代,C3M0040120K国产替代
销售的产品: 英飞凌IGBT单管国产替代,英飞凌混合IGBT单管国产替代,BGH50N65HF1,IKW50N65RH5国产替代,AIKW50N65RF5国产替代,IKW50N65SS5国产替代,BGH50N65ZF1,IKZA50N65RH5国产替代,IKZA50N65SS5国产替代,BGH75N65HF1,IKW75N65RH5国产替代,IKW75N65SS5国产替代,BGH75N65ZF1,IKZA75N65RH5国产替代,IKZA75N65SS5国产替代,BGH40N120HF,IKW40N120H3国产替代,
采购的产品: 光伏逆变器升压SiC碳化硅二极管,国产混合三电平SiC-IGBT模块,光伏逆变器SiC MOSFET,IGBT Hybrid Discrete,IGBT单管,混合IGBT单管,国产SiC MOSFET,SiC Power MOSFET,国产SiC MOSFET模块,SOT-227碳化硅肖特基二极管模块,混合SiC-IGBT模块,BASiC基本混合混合SiC-IGBT单管,分立碳化硅MOSFET,国产TO263-7碳化硅MOSFET,碳化硅(SiC)MOSFET,储能逆变器SiC MOSFET,光伏逆变器S
主营行业:
工业品
手机版:http://m.118783.com/index.php?moduleid=4&username=sicigbt&action=introduce

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